李耀义 特别研究员
杰出人才类别: 
获得年份: 
2014
凝聚态物理研究所
表面物理
物理楼907
86-21-54743165
yaoyili@sjtu.edu.cn

 

教育经历:

2001年9月-2005年6月,武汉大学物理科学与技术学院,获学士学位

2005年9月-2007年8月,中科院物理研究所,博士研究生

2007年9月-2011年1月,清华大学物理系,获博士学位

 

工作经历:

2011年2月-2015年6月,美国威斯康辛大学密尔沃基分校,博士后研究助理

2015年7月-至今,       上海交通大学物理与天文系,特别研究员

长期致力于利用扫描隧道显微镜及分子束外延联合超高真空系统,在固体表面上进行低维纳米结构的原子级精度的可控生长及其电子结构的表征。近几年,在拓扑绝缘体薄膜,一维石墨烯纳米带,零维纳米颗粒等低维纳米结构研究方向中取得了一系列原创性的成果。在Advanced Materials、Nature Physics、Nature Communications、Physical Review Letters这些国际权威期刊发表高影响因子文章7篇。

 

代表性工作:

(1)在国际上首次制备出了本征的高质量拓扑绝缘体薄膜,同时开创性建立了制备本征高质量拓扑绝缘体薄膜的分子束外延技术。相关工作入选2010年中国科学十大进展和2010年中国高等学校十大科技进展。

(2)首次观测到了锯齿型石墨烯纳米带自旋极化的边缘态和电子多体效应诱导增大的能隙。超窄的石墨烯纳米带非常有希望成为未来以碳材料为基础的集成电路的逻辑元件。

(3)首次也是目前唯一实验证实应变岛双稳态的确存在,对低维纳米结构的可控制备具有重要的指导意义。

(4)与他人合作,对拓扑绝缘体薄膜的应力进行了创新性研究,为动态调控拓扑绝缘体表面态提供了可能,应力还可能成为操控Majorana费米子的有效方法。

 

  1. Y. Y. Li, M. X. Chen, M. Weinert, and L. Li*, Direct Experimental Determination of Onset of Electron–Electron Interactions in Gap Opening of Zigzag Graphene Nanoribbons, Nature Communications 5, 4311 (2014).
  2. Y. Liu, Y. Y. Li, S. Rajput, D. Gilks, L. Lari, P. L. Galindo, M. Weinert, V. K. Lazarov* and L. Li*, Tuning Dirac States by Strain in the Topological Insulator Bi2Se3, Nature Physics 10, 294 (2014). (Cover Article)
  3. S. Rajput*, Y. Y. Li, and L. Li, Direct Experimental Evidence for the Reversal of Carrier Type upon Hydrogen Intercalation in Epitaxial Graphene-SiC(0001), Applied Physics Letters 104, 041908 (2014).
  4. S. Rajput, M. X. Chen, Y. Liu, Y. Y. Li, M. Weinert, and L. Li*, Spatial Fluctuations in Barrier Height at the Graphene-Silicon Carbide Schottky Junction, Nature Communications 4, 2752 (2013).
  5. Y. Liu, Y. Y. Li, D. Gilks, V. K. Lazarov, M. Weinert, and L. Li*, Charging Dirac States at Antiphase Domain Boundaries in the Three-Dimensional Topological Insulator Bi2Se3, Physical Review Letters 110, 186804 (2013). (Cover Article)
  6. G. Wang, X. G. Zhu, Y. Y. Sun, Y. Y. Li, T. Zhang, J. Wen, X. Chen,  K. He, L. L. Wang, X. C. Ma, J. F. Jia, S. B. Zhang*, and Q. K. Xue*, Topological Insulator Thin Films of Bi2Te3 with Controlled Electronic Structure, Advanced Materials 23, 2929 (2011).
  7. Y. Y. Li, G. Wang, X. G. Zhu, M. H. Liu, C. Ye, X. Chen, Y. Y. Wang, K. He, L. L. Wang, X. C. Ma, H. J. Zhang, X. Dai, Z. Fang, X. C. Xie, Y. Liu, X. L. Qi, J. F. Jia*, S. C. Zhang, and Q. K. Xue, Intrinsic Topological Insulator Bi2Te3 Thin Films on Si and Their Thickness Limit, Advanced Materials 22, 4002 (2010).
  8. Y. Y. Li, M. Liu, D. Y. Ma, D. C. Yu, X. Chen, X. C. Ma, Q. K. Xue, K. W. Xu, J. F. Jia*, and F. Liu*, Bistability of Nanoscale Ag Islands on a Si(111)-(4×1)-In Surface Induced by Anisotropic Stress, Physical Review Letters 103, 076102 (2009).