摘要

量子反常霍尔效应是一种无需磁场的量子霍尔效应。它不但是量子霍尔效应相关拓扑量子现象得以实际应用的关键，还是探索手征拓扑超导电性、拓扑磁电效应等诸多拓扑量子物态和效应实现的基础。2012年底，此效应在磁性掺杂拓扑绝缘体薄膜中得以实验实现，然而量子化的反常霍尔电阻和无耗散输运只有在低于100 mK的极低温环境下才能实现，这严重影响了量子反常霍尔效应相关研究的进展和应用。最近几年MnBi2Te4家族内禀磁性拓扑绝缘体的发现为大幅提高量子反常霍尔效应实现温度带来了希望。在这个报告中，我将介绍过去多年人们对在磁性拓扑绝缘体中提高量子反常霍尔效应实现温度所作的努力。尤其，我们将基于近年来MnBi2Te4家族内禀磁性拓扑绝缘体的研究进展和对相关机制的理解，探讨如何实现高温量子反常霍尔效应。

报告人简介

何珂，2000年于山东大学物理系获得理学学士学位。2006年于中国科学院物理研究所获得博士学位。2006年到2009年在日本东京大学物理系进行博士后研究。2009年到2013年任中国科学院物理研究所副研究员。2013年到2016年任清华大学物理系副研究员。2016年至今任清华大学教授。何珂的主要研究方向是低维拓扑量子材料的分子束外延生长和电子结构调控及其量子效应。曾获中国科学院杰出科技成就集体奖（2011）、国家杰出青年科学基金（2013）、中国青年科技奖（2013 年）、日本仁科亚洲奖（2015）、叶企孙物理奖（2017）、国家自然科学一等奖（2018）等荣誉和奖励。