摘要

自从2004年石墨烯发现以来，二维材料迅速在国际上引起了基础研究和应用研究的热潮。石墨烯是半金属，在导电添加剂、透明导电膜、导热、复合材料、以及光探测等方面具有应用前景，在电子器件领域替代式核心材料方面目前的应用目标还不明确。2010年以来，以过渡金属硫族化合物为代表的原子层厚度半导体材料引起了另一波研究热潮，有望在未来信息电子器件领域发挥其自身的优势。这种新型的半导体材料具备达到物理极限的厚度，有希望解决目前半导体器件领域内的一些技术瓶颈问题。本报告介绍报告人团队在二维半导体器件应用领域的几个方向上的探索，包括高质量材料的外延技术，以及其在柔性电子学器件、低功耗器件、纵向集成器件、以及超短沟道逻辑器件方面的应用探索。

报告人简介

张广宇，1999年山东大学物理系获得学士学位、2004年中国科学院物理研究所获得博士学位、2002-2003年在弗朗合费研究所访问、2004-2008年在斯坦福大学做博士后。2008年起在中国科学院物理研究所成立课题组，开展低维材料和器件方面的研究，目前担任课题组长、纳米实验室主任、北京凝聚态国家科学中心副主任。团队在低维材料和器件相关研究领域发表论文170余篇，h-index>50。