摘要

铌酸锂材料是理想的电光调制器材料，铌酸锂中的线性电光效应基于铌酸锂材料在电场作用下的极化过程，基于铌酸锂的电光调制器具有极高的理论带宽极限。已在光通信和微波光子学等领域得到广泛应用和验证，然而基于铌酸锂体材料的电光调制器有尺寸大、难以集成、驱动电压高等缺点。近几年，通过将铌酸锂体材料薄膜化并键合到硅衬底上制备出绝缘体上薄膜铌酸锂（LNOI）材料。 LNOI结合了高性能光子材料与集成光子学的优势，使得基于LNOI制备小尺寸、高速光子器件以及高性能声光电耦合器件成为可能，这些优势使其成为极有竞争力的新一代光子集成平台，已成为世界范围内的研究热点。报告将介绍近期LNOI领域光电子器件及集成方面的研究进展。

报告人简介

夏金松，博士、华中科技大学武汉光电国家研究中心教授。获中国科学技术大学物理学学士学位，中国科学院半导体研究所微电子于固体电子学博士学位。2004年至2010年间在日本武藏工业大学/东京都市大学工作，2010年回国加入华中科技大学光电学院/武汉光电国家研究中心工作。主要从事薄膜铌酸锂光子集成、介质超表面、硅基光子学等领域的研究，以通讯作者在Nature Communications、Science Advance, ACS Nano、ACS Photonics等期刊发表70余篇学术论文。回国后主持国家重点研发计划项目、自然科学基金重点项目等科研课题。