Colloquium
硅表面纳米团簇:组装动力学

日期:2009-11-11 阅读:977

摘要

在超高真空条件下,单晶硅片通过顺态电流热处理,表面发生重构,并形成不同的台阶与台面。采用分子束外延的手段,控制纳米团簇在不同形态的台阶与台面的沉积,研究纳米团簇在硅表面组装的动力学。不同材料的纳米团簇,在硅表面择优生长的方式是不同的。报告将介绍几种独特的方式:(1)仅沿台阶上沿生长(2)在台面非对称生长 (3)台面图形化选择生长 (4)台面拓扑生长。透过这些独特的生长现象,从热力学与动力学的角度,分析硅表面纳米团簇组装的动力学,为研制基于硅的纳米器件提供基础的认识。

报告人简介

上海交通大学特聘教授,2005年度国家杰出青年基金获得者。主要从事纳米科学与纳米技术领域的研究。在著名的专业杂志上发表过30多篇有影响力的论文,其中包括Science, PRL, JACS, Nano Letters, Advanced materials等,引用次数2000余次。有6篇论文单篇引用次数超过100次,单篇最高引用次数近600次。此外,还有5项研究成果获得中国发明专利,1项研究成果获得美国发明专利。目前从事表面物理以及纳米结构与器件领域的研究。


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